TDDB Lifetime: Acceleration Models & Case Studies in GAA, Ferroelectric, SiC, GaN Devices | 2026 L9
RFSD 20261103
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陽明交大電子吳添立 | 半導體教學 | WLab
@wlab4650
Time-Dependent Dielectric Breakdown: Mechanisms, Weibull Analysis, and Percolation Model | 2026 L8
Claquage diélectrique dépendant du temps : mécanismes, analyse de Weibull et modèle de percolation | 2026 L8
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Inside the PN Junction: Depletion, Built-In Potential & Breakdown | 2026 L7
À l'intérieur de la jonction PN : déplétion, potentiel intégré et claquage | 2026 L7
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Why Threshold Voltage Shifts in MOSFETs: Interface charges & Bias Temperature Instability | 2026 L7
Pourquoi les décalages de tension de seuil dans les MOSFETs : Charges d'interface et Instabilité de température de polarisation | 2026 L7
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Excess Carriers in Semiconductors: Lifetime, Ambipolar Transport & Quasi-Fermi Levels | 2026 L6
Porteurs en excès dans les semi-conducteurs : durée de vie, transport ambipolaire et niveaux quasi-Fermi | 2026 L6
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Semiconductor Reliability in Practice: Weibull Plots, System & Activation Energy | 2026 L6
Fiabilité des semi-conducteurs en pratique : tracés de Weibull, système et énergie d'activation | 2026 L6
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From Doping to Current Flow: Carrier Concentration, Drift & Diffusion | 2026 L5
Du dopage au flux de courant : concentration de porteurs, dérive et diffusion | 2026 L5
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Predicting Semiconductor Lifetime with Weibull and Lognormal Statistics | 2026 L5
Prédire la durée de vie des semi-conducteurs avec les statistiques de Weibull et lognormales | 2026 L5
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From Quantum States to Carriers: Understanding Electron & Hole Concentrations | 2026L4
Des états quantiques aux porteurs : Comprendre les concentrations d'électrons et de trous | 2026L4
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From Semiconductor Junctions to MOSFETs, Defects, and Yield Reliability | 2026 L4
Des jonctions de semi-conducteurs aux MOSFETs, défauts et fiabilité du rendement | 2026 L4
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Semiconductor Failure Transitions, Arrhenius Equation, Failure Time, and Band Theory | 2026 L3
Transitions de défaillance des semi-conducteurs, équation d'Arrhenius, temps de défaillance et théorie des bandes | 2026 L3
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Quantum Mechanics for Semiconductor Devices: Tunneling, Wave Functions, and Energy Bands | 2026 L3
Mécanique quantique pour les dispositifs à semi-conducteurs : Effet tunnel, fonctions d'onde et bandes d'énergie | 2026 L3
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Overview of Semiconductor Reliability Challenges and Basic Concepts | 2026 L2
Aperçu des défis de fiabilité des semi-conducteurs et concepts de base | 2026 L2
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From AI Power Challenges to Future Transistors and Crystal Structures | 2026 L2
Des défis de puissance de l'IA aux futurs transistors et structures cristallines | 2026 L2
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Why Semiconductor Reliability Matters: From TSMC N2 to Reliability & Failure Physics | 2026 L1
Pourquoi la fiabilité des semi-conducteurs compte : De TSMC N2 à la physique de la fiabilité et des défaillances | 2026 L1
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BJT Part2: Base width modulation, High Level Injection, Breakdown, Circuit Models | 2026 L13
BJT Partie 2 : Modulation de la largeur de base, Injection à haut niveau, Claquage, Modèles de circuit | 2026 L13
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Advanced CMOS Scaling: FinFET to GAA and CFET | 2026 L14
Mise à l'échelle CMOS avancée : du FinFET au GAA et au CFET | 2026 L14
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BJT Part1: NPN Operation, Minority Carrier Distribution & What Controls Current Gain | 2026 L12
BJT Partie 1 : Fonctionnement NPN, Distribution des Porteurs Minoritaires et Ce Qui Contrôle le Gain de Courant | 2026 L12
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MOSFET Part 2: Basic Operations and Key Advanced Concepts| 2026 L11
MOSFET Partie 2: Opérations de base et concepts avancés clés| 2026 L11
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MOSFET Part 1: Band Diagrams, Threshold Voltage, C–V | 2026 L10
MOSFET Partie 1: Diagrammes de bandes, tension de seuil, C–V | 2026 L10
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Diode Current, Contacts & the Road to MOSFET: PN Current, Ohmic vs Schottky & MOS Capacitor | 2026L9
Courant de diode, contacts et la route vers le MOSFET : courant PN, ohmique vs Schottky et condensateur MOS | 2026L9
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PN Junction : Built-In Potential, Depletion Width, Reverse Bias, Breakdown, Diode Current | 2026L8
Jonction PN : Potentiel intégré, largeur de la zone de déplétion, polarisation inverse, claquage, courant de diode | 2026L8
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Excess Carriers, Recombination, PN Junction: From Ambipolar Transport to Interface Trapping | 2026L7
Porteurs en excès, recombinaison, jonction PN : du transport ambipolaire au piégeage à l'interface | 2026L7
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How Electrons & Holes Move: Drift, Diffusion, Scattering & Excess Carrier Dynamics | 2026 L6
Comment les électrons et les trous se déplacent : dérive, diffusion, diffusion et dynamique des porteurs en excès | 2026 L6
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Carrier Concentration, Intrinsic vs Extrinsic Semiconductors & Fermi Level Explained | 2026 L5
Concentration de porteurs, semi-conducteurs intrinsèques vs extrinsèques et niveau de Fermi expliqués | 2026 L5
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From Quantum Tunneling to Energy Bands: Schrödinger Equation, Band & Fermi-Dirac Statistics| 2026 L4
De l'effet tunnel quantique aux bandes d'énergie : équation de Schrödinger, bandes et statistique de Fermi-Dirac | 2026 L4
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From Crystal to Quantum Tunneling: Why We Need Quantum Mechanics for Modern Transistors | 2026 L3
Du cristal à l'effet tunnel quantique : pourquoi nous avons besoin de la mécanique quantique pour les transistors modernes | 2026 L3
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From FinFET to CFET: Semiconductor Roadmap, Materials & Device Junctions | 2026 L2
De FinFET à CFET : Feuille de route des semi-conducteurs, matériaux et jonctions de dispositifs | 2026 L2
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Semiconductor From Transistors to Trillions: Course Intro, MOSFETs, Moore's Law | 2026 L1
Semi-conducteur : des transistors aux milliards : Introduction du cours, MOSFETs, loi de Moore | 2026 L1
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2025 L13: Electrostatic discharge (ESD) (2)
2025 L13 : Décharge électrostatique (DES) (2)
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2025 L12: Electrostatic discharge (ESD) (1)
2025 L12: Décharge électrostatique (ESD) (1)
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2025 L11: Mass Transport Induced Failures (2)
2025 L11 : Défaillances induites par le transport de masse (2)
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2025 L10: Mass Transport Induced Failures (1)
2025 C10 : Défaillances induites par le transport de masse (1)
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2025 L9: Time dependent dielectric breakdown (2)
2025 L9: Claquage diélectrique dépendant du temps (2)
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2025 L8: Interface charges and Bias Temperature Instability (2)/Time dependent dielectric breakdown
2025 L8: Charges d'interface et instabilité de température de polarisation (2)/Claquage diélectrique dépendant du temps
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2025 L7: Interface charges and Bias Temperature Instability (1)
2025 L7: Charges d'interface et instabilité de température de polarisation (1)
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2025 L6: Mathematics of Failure-and-Reliability(2)
2025 L6: Mathématiques de la défaillance et de la fiabilité (2)
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2025 L5: Defects, Contaminants, Yields (2)/Mathematics of Failure-and-Reliability(1)
2025 L5: Défauts, Contaminants, Rendements (2)/Mathématiques de la défaillance et de la fiabilité (1)
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![[2025 short course] 5-3: SiC MOSFETs Interface Challenges/PBTI/HTRB/Switching](https://i.ytimg.com/vi/fFHK9CpO614/maxresdefault.jpg)
[2025 short course] 5-3: SiC MOSFETs Interface Challenges/PBTI/HTRB/Switching
[Cours abrégé 2025] 5-3 : Défis d'interface des MOSFET SiC/PBTI/HTRB/Commutation
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